نسل بعدی سرفیس پرو احتمالا USB-C مغناطیسی خواهد داشت

شرکت مایکروسافت به‌تازگی پتنت جدیدی ثبت کرده که سیستم آهن‌ربایی در درگاه و کابل USB-C را شامل می‌شود؛ بدین‌ترتیب، کابل شارژر آسان‌تر و با سرعت بیشتری به تبلت‌های آینده‌ی سرفیس متصل خواهد شد که این امر موجب انتقال اطلاعات سریع‌تر می‌شود.

درست است که تبلت سرفیس پرو ۶ از درگاه اختصاصی بهره می‌برد؛ اما تبلت سرفیس Go از درگاه USB-C استفاده می‌کند. پس، به‌احتمال زیاد در آینده از همین درگاه در خط‌تولید سرفیس‌ پرو آینده استفاده خواهد شد. این اختراع را سازمان جهانی مالکیت فکری (WIOP) در ۲۳مِی امسال با شماره‌ثبت US200375251 و با نام مکانیسم چفت فعال مغناطیسی (Magnetically Activated Latch Mechanism) ثبت کرده است.

اطلاعات موجود در پرونده‌‌ی اختراع نشان می‌دهند که در دو طرف کابل USB-C این پتنت آهن‌ربا‌ تعبیه شده و در دو طرف داخل حفره‌ی درگاه تبلت نیز از موادی با خاصیت مغناطیسی استفاده شده است. بدین‌ترتیب اگر کابل و درگاه فاصله‌ی کم‌وبیش زیادی ازهم داشته باشند، به‌راحتی و بدون نیروی خارجی می‌توانند به‌هم متصل شوند یا با نیروی بیشتری بدون آسیب‌زدن به درگاه ازهم جدا شوند.

وقتی کابل‌های معمولی USB-C به درگاه متصل می‌شوند، قفل داخلی از درون درگاه اتصال را محکم نگاه می‌دارد. باوجوداین، وقتی از کابل مغناطیسی استفاده می‌شود، نیروی مغناطیسی موجود درون درگاه قفل را غیرفعال می‌کند و اجازه می‌دهد کابل USB با استفاده از نیروی مغناطیسی در جای خود حفظ شود.

با قرارگیری کابل در درگاه به‌صورت مغناطیسی کاربران دیگر مجبور نخواهند بود کابل را به درون روزنه فشار دهند؛ بلکه می‌توانند با کشیدن کابل از تبلت اتصال را به‌راحتی جدا کنند. انجام این کار در اتصال عادی ممکن است به دستگاه آسیب برساند؛ اما هنگام استفاده از اتصال مغناطیسی مشکلی پیش نخواهد آمد. درهرصورت ثبت اختراع به‌معنی استفاده‌ی حتمی مایکروسافت از آن در تبلت‌های آینده سرفیس پرو نخواهد بود؛ اما گامی در مسیر صحیح خواهد بود.

منبع:

https://www.zoomit.ir/20/12/30/311008/microsoft-seeks-patent-magnetic-usbc/